InP中的Be、P共注入及其退火特性研究 张永刚;富小妹;潘慧珍 【期刊名称】《半导体学报：英文版》 【年(卷),期】1989(10)8 【摘 要】本文对InP中的Be单注入和Be、p共注入及其退火特性进行了比较.SIMS和电化学C-V测试结果表明:采用Be、P共注入可以抑制退火过程中的Be扩散再分布,提高载流子的激活率,改善Pn结的电特性.与单注入相比,共注入样品Be的激活率提高了近一倍.pn结的击穿电压提高,漏电流明显减小.文中对共注入改善退火特性的机理进行了讨论. 【总页数】4页(P641-644) 【关键词】离子注入;热退火;铍;磷;半导体 【作 者】张永刚;富小妹;潘慧珍 【作者单位】中国科学院上海冶金研究所 【正文语种】中 文 【中图分类】TN405.3 【相关文献】 1.退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响 [J], 曹望和;张联苏 2.硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究 [J], 赵杰;刘宝钧;李建蒙 3.退火温度对InP晶体中Er^(3+)离子的发光特性影响的研究 [J], 张喜田;王玉玺 4.两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质 [J], 姬成周;张燕文;李国辉;王文勋;苏里曼 5.稀土Er离子注入InP的退火及发光特性 [J], 章蓓;陈孔军;王舒民;丁晓民;虞丽生;郑婉华;徐俊英;李仪 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买 本文来源：https://www.wddqw.com/doc/91f8d162a02d7375a417866fb84ae45c3a35c27c.html